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詳細講解阿托斯ATOS意大利傳感器的工作原理
點擊次數:126 更新時間:2025-12-12

  意大利ATOS阿托斯壓力傳感器工作原理

  高精度測量:部分型號如 E-ATR-8/060/I 10,內置*的壓阻式敏感元件,配合 24 位高分辨率 ADC 轉換模塊,可實現 0-60bar 量程內 ±0.1% FS 的測量精度。

  測量范圍廣:ATOS 壓力傳感器提供多種量程選擇,常見的有 0-100bar、0-160bar、0-250bar、0-400bar 等,能夠滿足不同工業應用場景對壓力測量范圍的要求。

  抗過載能力強:傳感器由內部電阻橋式電路組成,具有高抗過載及抗峰壓的特點,部分型號的總線大過載壓力可達 2 倍滿量程,總線大爆裂壓力可達 5 倍滿量程。

  良好的環境適應性:以 E-ATR-8/060/I 10 為例,其 IP67 防護等級外殼可抵御粉塵侵入與短暫水浸,且在 - 20℃至 85℃溫度范圍內,通過內置溫度傳感器實時修正熱效應誤差,確保測量偏差≤0.05%/℃,適用于冶金、船舶等惡劣環境。

  多種輸出模式:產品通常提供 4-20mA 電流環輸出與 RS485 數字接口雙模式,兼容 Modbus RTU 工業協議,方便用戶與不同的控制系統進行連接和通信。

  智能功能豐富:一些型號支持與 ATOS 數字比例閥組成閉環控制系統,通過內置 PID 算法實現壓力的動態調節,還具備零點校準、量程設定及診斷參數寫入等功能,可顯著縮短設備調試周期。

  響應速度快:例如 E-ATR-8/060/I 10 的上升時間<1ms,能夠快速響應壓力變化,有效避免傳統機械式壓力表滯后導致的過壓風險。

  具備溫漂補償功能:ATOS 壓力傳感器通常帶有溫漂補償功能,如 E-ATR-8/400/I 在零點和滿度時的溫度補償最大均為≤±0.025% FS/℃,確保在不同溫度環境下測量的準確性

  常見種類

  電阻式

  電阻式傳感器是將被測量,如位移、形變、力、加速度、濕度、溫度等這些物理量轉換式成電阻值這樣的一種器件。主要有電阻應變式、壓阻式、熱電阻、熱敏、氣敏、濕敏等電阻式傳感器件。

  電阻應變式

  傳感器中的電阻應變片具有金屬的應變效應,即在外力作用下產生機械形變,從而使電阻值隨之發生相應的變化。電阻應變片主要有金屬和半導體兩類,金屬應變片有金屬絲式、箔式、薄膜式之分。半導體應變片具有靈敏度高(通常是絲式、箔式的幾十倍)、橫向效應小等優點。

  壓阻式

  壓阻式傳感器是根據半導體材料的壓阻效應在半導體材料的基片上經擴散電阻而制成的器件。其基片可直接作為測量傳感元件,擴散電阻在基片內接成電橋形式。當基片受到外力作用而產生形變時,各電阻值將發生變化,電橋就會產生相應的不平衡輸出。

  用作壓阻式傳感器的基片(或稱膜片)材料主要為硅片和鍺片,硅片為敏感材料而制成的硅壓阻傳感器越來越受到人們的重視,尤其是以測量壓力和速度的固態壓阻式傳感器應用更為普遍。

  熱電阻

  熱電阻測溫是基于金屬導體的電阻值隨溫度的增加而增加這一特性來進行溫度測量的。熱電阻大都由純金屬材料制成,應用最多的是鉑和銅,此外,已開始采用鎳、錳和銠等材料制造熱電阻。

  熱電阻傳感器主要是利用電阻值隨溫度變化而變化這一特性來測量溫度及與溫度有關的參數。在溫度檢測精度要求比較高的場合,這種傳感器比較適用。較為廣泛的熱電阻材料為鉑、銅、鎳等,它們具有電阻溫度系數大、線性好、性能穩定、使用溫度范圍寬、加工容易等特點。用于測量-200℃~+500℃范圍內的溫度。

  熱電阻傳感器分類:

  1、NTC熱電阻傳感器:

  該類傳感器為負溫度系數傳感器,即傳感器阻值隨溫度的升高而減小。

  2、PTC熱電阻傳感器:

  該類傳感器為正溫度系數傳感器,即傳感器阻值隨溫度的升高而增大。

  激光

  利用激光技術進行測量的傳感器。它由激光器、激光檢測器和測量電路組成。激光傳感器是新型測量儀表,它的優點是能實現無接觸遠距離測量,速度快,精度高,量程大,抗光、電干擾能力強等。

  激光傳感器工作時,先由激光發射二極管對準目標發射激光脈沖。經目標反射后激光向各方向散射。部分散射光返回到傳感器接收器,被光學系統接收后成像到雪崩光電二極管上。雪崩光電二極管是一種內部具有放大功能的光學傳感器,因此它能檢測極其微弱的光信號,并將其轉化為相應的電信號。

  利用激光的高方向性、高單色性和高亮度等特點可實現無接觸遠距離測量。激光傳感器常用于長度(ZLS-Px)、距離(LDM4x)、振動(ZLDS10X)、速度(LDM30x)、方位等物理量的測量,還可用于探傷和大氣污染物的監測等。

  霍爾

  霍爾傳感器是根據霍爾效應制作的一種磁場傳感器,廣泛地應用于工業自動化技術、檢測技術及信息處理等方面。霍爾效應是研究半導體材料性能的基本方法。通過霍爾效應實驗測定的霍爾系數,能夠判斷半導體材料的導電類型、載流子濃度及載流子遷移率等重要參數。


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